Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что 21 ноября, филиал в городе Астана не будет работать.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
11834
IGBT Транзистор GT30J124, N канала в корпусе TO220SIS
Будет доступен:
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Тип корпуса | TO-220S |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | N-канал |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 26 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 200 A |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 В |
| Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
| Наличие встроенного диода | Нет |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.