GT30J124, IGBT Транзистор

11834

IGBT Транзистор GT30J124, N канала в корпусе TO220SIS

								
							
Цена по прайсу: 495 тг

450 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Тип корпуса TO-220S
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 26 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 200 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.4 В
Рабочая температура, °C от -55°C до +150°C
Наличие встроенного диода Нет

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

GT30J124, IGBT Транзистор

GT30J124, IGBT Транзистор

IGBT Транзистор GT30J124, N канала в корпусе TO220SIS

Напишите свой отзыв