GT30J124, IGBT Транзистор

11834

IGBT Транзистор GT30J124, N канала в корпусе TO220SIS

								
							
Цена по прайсу: 495 тг

450 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-220S
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт26 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А200 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.4 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C
Наличие встроенного диодаНет

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

GT30J124, IGBT Транзистор

GT30J124, IGBT Транзистор

IGBT Транзистор GT30J124, N канала в корпусе TO220SIS

Напишите свой отзыв