G4PH50KD, IGBT Транзистор (45A 1200V)

11839

IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V),  N- канала, в корпусе TO-247AC

								
							
Цена по прайсу: 1 320 тг

1 200 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-247AC
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт200 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А45 A
Управляющее напряжение, ВОт 3 до 6 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C
Наличие встроенного диодаДа

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

G4PH50KD, IGBT Транзистор (45A 1200V)

G4PH50KD, IGBT Транзистор (45A 1200V)

IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V),  N- канала, в корпусе TO-247AC

Напишите свой отзыв