G4PH50KD, IGBT Транзистор (45A 1200V)

11839

IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V),  N- канала, в корпусе TO-247AC

								
							
Цена по прайсу: 1 100 тг

1 000 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Тип корпуса TO-247AC
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 200 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 45 A
Управляющее напряжение, В От 3 до 6 В
Рабочая температура, °C от -55°C до +150°C
Наличие встроенного диода Да

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

G4PH50KD, IGBT Транзистор (45A 1200V)

G4PH50KD, IGBT Транзистор (45A 1200V)

IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V),  N- канала, в корпусе TO-247AC

Напишите свой отзыв