G4PH50KD, IGBT Транзистор (45A 1200V)

Артикул 11839

IGBT Транзистор G4PH50KD (45A 1200V), N- канала, в корпусе TO-247AC

Тип продукции	IGBT транзистор
Тип корпуса	TO-247AC
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт	200 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А	45 A
Управляющее напряжение, В	От 3 до 6 В
Рабочая температура, °C	от -55°C до +150°C
Наличие встроенного диода	Да

IRG4PH50KD datasheet

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину