Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что 10 февраля, филиал в городе Астана будет работать до 16:00.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
12260
FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]
Будет доступен:
Тип продукции | IGBT транзистор |
Тип корпуса | TO-3PN |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 312 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 50 A |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 В |
Управляющее напряжение, В | 5.5 В |
Рабочая температура, °C | от -55°C до +150°C |
Наличие встроенного диода | Да |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.