FGA25N120ANTD Транзистор IGBT 1200В 25А [TO3PN]

Артикул 12260

FGA25N120ANTDTU, Транзистор IGBT 1200В 25А 312Вт, встроенный диод [TO3PN]

Тип продукции	IGBT транзистор
Тип корпуса	TO-3PN
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт	312 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А	50 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2 В
Управляющее напряжение, В	5.5 В
Рабочая температура, °C	от -55°C до +150°C
Наличие встроенного диода	Да

встроенный быстродействующий диод

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

FGA25N120ANTD

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину