12N60A4D IGBT транзистор. N- канал 600V TO220AB

12821

HGTP12N60A4D - IGBT транзистор. N- канал TO220AB

								
							
Цена по прайсу: 979 тг

890 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-220AB
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт167 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А54 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2 В
Рабочая температура, °C+150°C
Наличие встроенного диодаДа

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

12N60A4D IGBT транзистор. N- канал 600V TO220AB

12N60A4D IGBT транзистор. N- канал 600V TO220AB

HGTP12N60A4D - IGBT транзистор. N- канал TO220AB

Напишите свой отзыв