12N60A4D IGBT транзистор. N- канал 600V TO220AB

12821

HGTP12N60A4D - IGBT транзистор. N- канал TO220AB

								
							
Цена по прайсу: 847 тг

770 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А54 A
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер, В600 В
Рабочая температура, °C+150°C

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

12N60A4D IGBT транзистор. N- канал 600V TO220AB

12N60A4D IGBT транзистор. N- канал 600V TO220AB

HGTP12N60A4D - IGBT транзистор. N- канал TO220AB

Напишите свой отзыв