12N60A4D IGBT транзистор. N- канал 600V TO220AB

12821

HGTP12N60A4D - IGBT транзистор. N- канал TO220AB

								
							
Цена по прайсу: 979 тг

890 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Тип корпуса TO-220AB
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 167 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 54 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2 В
Рабочая температура, °C +150°C
Наличие встроенного диода Да

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

12N60A4D IGBT транзистор. N- канал 600V TO220AB

12N60A4D IGBT транзистор. N- канал 600V TO220AB

HGTP12N60A4D - IGBT транзистор. N- канал TO220AB

Напишите свой отзыв