NGTG50N60FL IGBT транзистор 100 А, 1.65 В TO-247

12929

NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG

								
							
Цена по прайсу: 1 474 тг

1 340 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-247
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт223 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А50 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.65 В
Рабочая температура, °C+150°C
Наличие встроенного диодаНет

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

NGTG50N60FL IGBT транзистор 100 А, 1.65 В TO-247

NGTG50N60FL IGBT транзистор 100 А, 1.65 В TO-247

NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG

Напишите свой отзыв