12929
NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG
Будет доступен:
Тип продукции | IGBT транзистор |
Тип корпуса | TO-247 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 223 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 600 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 50 A |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.65 В |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Наличие встроенного диода | Нет |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.