NGTG50N60FL IGBT транзистор 100 А, 1.65 В TO-247

Артикул 12929

NGTG50N60FL, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.65 В, 223 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

NGTG50N60FL - аналог NGTG50N60FLWG

Тип продукции	IGBT транзистор
Тип корпуса	TO-247
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт	223 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А	50 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	1.65 В
Рабочая температура, °C	+150°C
Наличие встроенного диода	Нет

Datasheet - NGTG50N60FL

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину