Транзисторный модуль FF300R12KE3

13049

								
							
Цена по прайсу: 55 000 тг

50 000 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT модуль
Тип корпуса AG-62MM-1
Тип подключения винтами, коннекторы FASTON
Структура транзистора IGBT
Рассеиваемая мощность, Вт 1450 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 440 А
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.7 В
Управляющее напряжение, В 20 В
Рабочая температура, °C от -40°C до +125°C
Наличие встроенного диода Нет

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

Транзисторный модуль FF300R12KE3

Транзисторный модуль FF300R12KE3

Напишите свой отзыв