Уважаемые клиенты, поздравляем вас с Днём Республики!
Сообщаем вам, график работы на ближайшие дни:
25 и 26 октября - интернет магазин и магазины работать не будут.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
13058
F4-50R12KS4 - IGBT. N-Channel, 1200В, 50А, MODULE
Будет доступен:
Тип продукции | IGBT транзистор |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 355 Вт |
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 1200 В |
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 50 A |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 3.2 В |
Управляющее напряжение, В | 20 В |
Рабочая температура, °C | +125°C |
Наличие встроенного диода | Нет |
Время нарастания: 50
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.