Транзистор F4-50R12KS4 MODULE

13058

F4-50R12KS4 - IGBT. N-Channel, 1200В, 50А, MODULE

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 50 149 тг

45 590 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 355 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 50 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 3.2 В
Управляющее напряжение, В 20 В
Рабочая температура, °C +125°C
Наличие встроенного диода Нет

Подробнее

Время нарастания: 50


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

Транзистор F4-50R12KS4 MODULE

Транзистор F4-50R12KS4 MODULE

F4-50R12KS4 - IGBT. N-Channel, 1200В, 50А, MODULE

Напишите свой отзыв