STGD18N40LZ IGBT

13590

STGD18N40LZ биполярный транзистор с изолированным затвором. Транзистор имеет защиту на канале затвор-эмиттер. 

Этого товара нет в наличии

								
							
Цена по прайсу: 2 211 тг

2 010 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Тип корпуса DPAK
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 125 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 360 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 25 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.35 В
Рабочая температура, °C от -55°C до +175°C
Наличие встроенного диода Да

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

STGD18N40LZ IGBT

STGD18N40LZ IGBT

STGD18N40LZ биполярный транзистор с изолированным затвором. Транзистор имеет защиту на канале затвор-эмиттер. 

Напишите свой отзыв