Транзистор FGA6540WDF, IGBT 650В 40А

14812

IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

								
							
Цена по прайсу: 1 408 тг

1 280 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Тип корпуса TO-3PN
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 238 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 650 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 80 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.3 В
Рабочая температура, °C +175°C
Наличие встроенного диода Нет

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

Транзистор FGA6540WDF, IGBT 650В 40А

Транзистор FGA6540WDF, IGBT 650В 40А

IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

Напишите свой отзыв