Транзистор FGA6540WDF, IGBT 650В 40А

14812

IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

								
							
Цена по прайсу: 1 408 тг

1 280 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-3PN
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт238 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В650 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А80 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В2.3 В
Рабочая температура, °C+175°C
Наличие встроенного диодаНет

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

Транзистор FGA6540WDF, IGBT 650В 40А

Транзистор FGA6540WDF, IGBT 650В 40А

IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

Напишите свой отзыв