Транзистор FGA6540WDF, IGBT 650В 40А

Артикул 14812

IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

Тип продукции	IGBT транзистор
Тип корпуса	TO-3PN
Тип подключения	Контакты для пайки
Структура транзистора	N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт	238 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В	650 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А	80 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.3 В
Рабочая температура, °C	+175°C
Наличие встроенного диода	Нет

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Добавлено в корзину