FGH40T100SMD IGBT транзистор TO-247

Поставляется с повышенным пробивным напряжением, что увеличивает надежность в местах с отрицательной температурой окружающей среды. По мере снижения температуры также снижается напряжение блокировки IGBT и FRD, что делает устройство особенно полезными для фотоэлектрических солнечных инверторов, используемых в холодном климате. Эти IGBT обеспечивают быстрое и плавное восстановление, которое уменьшает рассеиваемую мощность и обеспечивает низкие потери при включении и отключении.

Отличительные особенности:

Оптимизирован для применения в схемам с высокой частотой переключения:

• Низкое напряжение насыщения: VCE(SAT) = 1.8 В при номинальном токе коллектора IC
• Высокая скорость переключения: малый остаточный заряд в закрытом состоянии EOFF = 27 мкДж/А
• Встроенный шунтирующий диод, рассчитанный на высокое быстродействие

Разработан для обеспечения высокой надёжности приложений:

• Широкая зона безопасной работы (SOA)
• Способность работать на чисто индуктивную нагрузку (тестировался при 4-х кратном превышении номинального тока коллектора)
• Максимальная температура перехода: +175 ˚C
• Возможность параллельной работы нескольких транзисторов (положительный температурный коэффициент)
• Высокое входное сопротивление
• Соответствует требованиям директивы RoHS

Область применения:

• Солнечные инверторы
• Источники бесперебойного питания (UPS)
• Сварочные аппараты
• Высоковольтное/сильноточное медицинское оборудование
• Стабилизаторы источников питания

Блок-схема:

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.