Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Уважаемые клиенты, поздравляем Вас с Днём Независимости Республики Казахстан!
Сообщаем вам, что 16 декабря все наши магазины не будут работать.
В связи с выходными у курьерских компаний - заказы будут отправлены 17 декабря.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
15809
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.
Будет доступен:
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | N-канал |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 428 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 650 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 100 А |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.85 В |
| Рабочая температура, °C | от -40°C до +175°C |
| Наличие встроенного диода | Нет |
Этот IGBT производится с использованием передовой технологии MagnaChip Field Stop Trench IGBT 2-го поколения, которая отличается не только высочайшей эффективностью коммутационного поведения, но и высокой прочностью и отличным качеством для применения в солнечных инверторах, ИБП, IH, сварочных аппаратах и PFC, где необходимы низкие потери проводимости.
Спецификация:
Структурная схема:

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.