RJP3047 IGBT-Транзистор, N-канал, 330В, 50A, TO-3P

16370

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 385 тг

350 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-3P
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт75 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В330 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А50 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.5 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C
Габариты40х16х5 мм
Наличие встроенного диодаДа

Подробнее

IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

RJP3047

Техническая документация

Файлы для загрузки (2.53M)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

RJP3047 IGBT-Транзистор, N-канал, 330В, 50A, TO-3P

RJP3047 IGBT-Транзистор, N-канал, 330В, 50A, TO-3P

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

Напишите свой отзыв