RJP30H2A IGBT-Транзистор, N-канал, 360В, 35A, TO-263

16373

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 308 тг

280 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-263
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт60 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В360 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А35 A
Пороговое напряжение на затворе, В30 В
Рабочая температура, °Cот -55°C до +150°C
Габариты10x15x5 мм

Подробнее

IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.

Функциональная схема:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

RJP30H2A

Техническая документация

Файлы для загрузки (260.59k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

RJP30H2A IGBT-Транзистор, N-канал, 360В, 35A, TO-263

RJP30H2A IGBT-Транзистор, N-канал, 360В, 35A, TO-263

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

Напишите свой отзыв