PM200DVA120 IGBT-транзистор, 1200В, 200A
(Отреставрированный)

16429

IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.

Подробнее

Этого товара нет в наличии

								
							
Цена по прайсу: 80 839 тг

73 490 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Структура транзистора IGBT
Входное напряжение, В 20 В
Выходное напряжение, В 10 В
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 1200 В
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А 200 А
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft), Гц ≤ 20 кГц
Рабочая температура, °C от -20°C до +150°C
Габариты 120х70х40.5 мм

Подробнее

Cиловые модули - это изолированные базовые модули, предназначенные для передачи коммутации питания, работающих на частотах до 20 кГц. Встроенные схемы управления обеспечивают оптимальный привод затвора и защиту для устройств питания IGBT и диодов свободного хода.

Функциональная блок схема:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

PM200DVA120

Техническая документация

Файлы для загрузки (85.58k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

PM200DVA120 IGBT-транзистор, 1200В, 200A

PM200DVA120 IGBT-транзистор, 1200В, 200A

IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.

Напишите свой отзыв