IGBT транзистор KDG15N120H, N-канальный, 1200V, 15A, TO-247

16741

Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 825 тг

750 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-247
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт190 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В1200 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А30 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.85 В
Рабочая температура, °Cот -40°C до +175°C
Габариты40x16x5 мм
Наличие встроенного диодаНет

Подробнее

IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Данный транзистор является аналогом: K15H1203, IKW15N120H3.


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IGBT транзистор KDG15N120H, N-канальный, 1200V, 15A, TO-247

IGBT транзистор KDG15N120H, N-канальный, 1200V, 15A, TO-247

Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.

Напишите свой отзыв