MBQ40T65QES, Транзистор IGBT, N-канал, 650В, 80А, TO-247

17811

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 1 078 тг

980 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииIGBT транзистор
Тип корпусаTO-247
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт230 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В650 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А80 A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В1.8 В
Рабочая температура, °C+150°C
Наличие встроенного диодаНет

Подробнее

IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.

Спецификация:

  • Тип транзистора: IGBT;
  • Маркировка: 40T65QES;
  • Тип управляющего канала: N;
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), Вт: 230;
  • Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, В: 650;
  • Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, В: 20;
  • Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, А: 80;
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, В: 1.8;
  • Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, В: 6.5;
  • Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150;
  • Время нарастания типовое (tr), nS: 36;
  • Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 120;
  • Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 60;
  • Тип корпуса: TO247.


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

MBQ40T65QES

Техническая документация

Файлы для загрузки (711.85k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

MBQ40T65QES, Транзистор IGBT, N-канал, 650В, 80А, TO-247

MBQ40T65QES, Транзистор IGBT, N-канал, 650В, 80А, TO-247

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

Напишите свой отзыв