Уважаемые покупатели!
С 1 января 2026 года филиал в г. Алматы закрывается.
Важная информация:
С 20 декабря самовывоз для новых заказов из офиса в Алматы будет недоступен. Оформить заказ с доставкой до двери можно на сайте.
Готовые заказы просим забрать до 25 декабря.
Приносим извинения за доставленные неудобства.
17811
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Этого товара нет в наличии
Будет доступен:
| Тип продукции | IGBT транзистор |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | N-канал |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 230 Вт |
| Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В | 650 В |
| Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А | 80 A |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.8 В |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
| Наличие встроенного диода | Нет |
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного.
Спецификация:
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.