G30N60, IGBT Транзистор

10857

G30N60 - IGBT транзистор 63A, 600В, TO-247

								
							
Цена по прайсу: 1 210 тг

1 100 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции IGBT транзистор
Тип корпуса TO-247
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 208 Вт
Допустимое напряжение коллектор-эмиттер транзистора до повреждения (Vceo), В 600 В
Максимальный ток коллектор-эмиттер при 25°C (Ic), А 63 А
Рабочая температура, °C от -55°C до +150°C
Наличие встроенного диода Нет

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

G30N60, IGBT Транзистор

G30N60, IGBT Транзистор

G30N60 - IGBT транзистор 63A, 600В, TO-247

Напишите свой отзыв