Добавлено в корзину
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
TC58BVG0S3HTA00 Флеш-память NAND, 3.3В, 1Гб, TSSOP-48
16172
Интегральная микросхема - это совокупность электрически связанных компонентов (транзисторов, диодов, резисторов и другого), изготовленных в едином технологическом цикле на единой полупроводниковой основе (подложке).
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Тип продукции | Флеш-память |
| Тип памяти | EEPROM |
| Тип корпуса | TSSOP-48 |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Объем памяти | 1 Гб |
| Рабочее напряжение, В | от 2.7 до 3.6 В |
| Время доступа | 25 нс |
| Рабочая температура, °C | от 0°C до +70°C |
| Габариты | 20x12x1 мм |
Подробнее
TC58BVG0S3HTA00 представляет собой одиночную 3.3В, 1Гб и электрически стираемую и программируемую память только для чтения (NAND E2PROM), организованную в виде (2048+64) байт × 64 страниц × 1024 блоков. Устройство имеет статический регистр 2112 байт, который позволяет программировать и считывать данные, передаваемые между регистром и массивом ячеек памяти с шагом 2112 байт. Операция стирания реализована в едином блоке (128 Кбайт + 4 Кбайт: 2112 байт × 64 страницы). TC58BVG0S3HTA00 - это запоминающее устройство последовательного типа, которое использует контакты ввода-вывода как для адреса, так и для ввода/вывода данных, а также для ввода команд. Операции стирания и программирования выполняются автоматически, что делает устройство наиболее подходящим для таких приложений, как твердотельное хранилище файлов, запись голоса, память файлов изображений для фотокамер и других систем, требующих хранения данных в энергонезависимой памяти высокой плотности. TC58BVG0S3HTA00 имеет логику ECC на чипе, и 8-битные ошибки чтения для каждых 528 байт могут быть исправлены.
Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.
Файлы для загрузки
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.