IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]

17021

Интегральная микросхема - это совокупность электрически связанных компонентов: транзисторов, диодов, резисторов и так далее, изготовленных в едином технологическом цикле на единой полупроводниковой основе - подложке.

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 325 тг

295 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииДрайвер ключей
Тип корпусаSOIC-8
Количество каналов2
Рабочее напряжение, Вот 10 до 20 В
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А0.21 А
Пиковый выходной ток спада (Sink), А0.36 А
Максимальное напряжение смещения, В600 В
Логическое напряжение (VIL), В0.8 В
Логическое напряжение (VIH), В3 В
Время спада/нарастания, ns50/100
Рабочая температура, °Cот -40°C до +150°C
Габариты5x6x1 мм

Подробнее

IR2101 - это высоковольтный, высокоскоростной силовой MOSFET - транзистор с IGBT - драйверами имеющий независимые выходные каналы высокого и низкого напряжения. Разработан на запатентованной технологии HVIC. CMOS с защитой от защелкивания обеспечивает прочную конструкцию. Логический вход совместим со стандартным выходом CMOS или LSTTL, вплоть до логики с 3.3В. Выходные драйверы оснащены буферным каскадом с высоким импульсным током, предназначенным для минимальной перекрестной проводимости драйвера. Плавающий канал может использоваться для управления N-канальным силовым MOSFET или IGBT в конфигурации high side, которая работает до 600В.

Функциональная блок схема:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

IR2101STRPBF

Техническая документация

Файлы для загрузки (138.71k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]

IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]

Интегральная микросхема - это совокупность электрически связанных компонентов: транзисторов, диодов, резисторов и так далее, изготовленных в едином технологическом цикле на единой полупроводниковой основе - подложке.

Напишите свой отзыв