MT29F4G08ABADAWP, Флеш-память NAND от Micron, 3.3В, 4Гб, TSOP-48

17913

Интегральная микросхема - это совокупность электрически связанных компонентов (транзисторов, диодов, резисторов и другого), изготовленных в едином технологическом цикле на единой полупроводниковой основе (подложке).

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 2 200 тг

2 000 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Подробнее

Спецификация:

  • Тип продукции: флеш-память;
  • Тип памяти: EEPROM;
  • Объем памяти: 4 Гб (512 M x 8);
  • Ширина шины данных: 8 бит;
  • Рабочее напряжение: от 2.7 до 3.6 В;
  • Рабочий ток: 35 мА;
  • Время доступа: 20 нс;
  • Рабочая температура: от -40°C до +85°C;
  • Тип корпуса: TSOP-48;
  • Габариты: 20x12x1 мм.


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

MT29F4G08ABADAWP

Техническая документация

Файлы для загрузки (1.43M)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

MT29F4G08ABADAWP, Флеш-память NAND от Micron, 3.3В, 4Гб, TSOP-48

MT29F4G08ABADAWP, Флеш-память NAND от Micron, 3.3В, 4Гб, TSOP-48

Интегральная микросхема - это совокупность электрически связанных компонентов (транзисторов, диодов, резисторов и другого), изготовленных в едином технологическом цикле на единой полупроводниковой основе (подложке).

Напишите свой отзыв