КР504НТ1В, микросхема, Б/У

КР504НТ1В - микросхема содержит согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и p-каналом, предназначенных для применения во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммутаторах.

Спецификация:

• Напряжение отсечки: <5 В;
• Напряжение затвор-сток: 10 В;
• Напряжение затвор-исток: -2 В;
• Разность напряжение затвор-истор: ≤30 мВ;
• Начальный ток стока: от 0.7 до 2 мА;
• Ток утечки затвора: <2 нА;
• Крутизна характеристики: >0.7 мА/В;
• Коэффициент шума при R=1Мом и f=1КГц: <4 дБ;
• Разброс значений крутизны в паре: <15%;
• Температурный дрейф напряжения смещения: <50 мкВ/°С;
• Рабочая температура: от -40°С до +85°С;
• Корпус: DIP-8.

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.