10149
Данный транзистор широко применяется в ключевых схемах, а также в качестве усилительного элемента в блоках и модулях радиоаппаратуры различного назначения. Компонент зарекомендовал себя как надежный и рекомендуется к использованию в радиолюбительских устройствах. MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor — МОП полевой транзистор.
Будет доступен:
Тип продукции | Полевой транзистор |
Тип корпуса | TO-220AB |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 125 Вт |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 0.55 Ом |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 400 В |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
Крутизна характеристики, S | 8.9 S |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 10 А |
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 4 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.