IRF740 Полевой транзистор

10149

Данный транзистор широко применяется в ключевых схемах, а также в качестве усилительного элемента в блоках и модулях радиоаппаратуры различного назначения. Компонент зарекомендовал себя как надежный и рекомендуется к использованию в радиолюбительских устройствах. MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor — МОП полевой транзистор.

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 281 тг

255 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом550 мОм
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В400 В
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А10 A
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В20 В
Крутизна характеристики, S8.9 S
Пороговое напряжение на затворе, ВОт 2 до 4 В

Подробнее


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRF740 Полевой транзистор

IRF740 Полевой транзистор

Данный транзистор широко применяется в ключевых схемах, а также в качестве усилительного элемента в блоках и модулях радиоаппаратуры различного назначения. Компонент зарекомендовал себя как надежный и рекомендуется к использованию в радиолюбительских устройствах. MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor — МОП полевой транзистор.

Напишите свой отзыв