IRF740 Полевой транзистор

10149

Данный транзистор широко применяется в ключевых схемах, а также в качестве усилительного элемента в блоках и модулях радиоаппаратуры различного назначения. Компонент зарекомендовал себя как надежный и рекомендуется к использованию в радиолюбительских устройствах. MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor — МОП полевой транзистор.

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 231 тг

210 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В400
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А10
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм550
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт125
Крутизна характеристики, S8.9
Максимальная температура канала (Tj)150
Тип корпусаTO-220AB
Пороговое напряжение на затворе, В2-4

Подробнее


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRF740 Полевой транзистор

IRF740 Полевой транзистор

Данный транзистор широко применяется в ключевых схемах, а также в качестве усилительного элемента в блоках и модулях радиоаппаратуры различного назначения. Компонент зарекомендовал себя как надежный и рекомендуется к использованию в радиолюбительских устройствах. MOSFET — Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor — МОП полевой транзистор.

Напишите свой отзыв