10317
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или
МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Тип продукции | Полевой транзистор |
Тип корпуса | TO-3P |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 150 Вт |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 0.27 Ом |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 500 В |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 30 В |
Крутизна характеристики, S | 17 S |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 20 А |
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 4 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.