10317
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или
МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Этого товара нет в наличии
Будет доступен:
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В | 500 |
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А | 20 |
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В | ±30 |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм | 210 |
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт | 150 |
Крутизна характеристики, S | 17 |
Максимальная температура канала (Tj) | 150 |
Тип корпуса | TO3P |
Пороговое напряжение на затворе, В | 4 |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.