IRFR13N20D MOSFET

13587

Высокочастотный силовой транзистор, N-канал. 

								
							
Цена по прайсу: 671 тг

610 тг


Караганда:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукции Полевой транзистор
Тип корпуса DPAK
Тип подключения Контакты для пайки
Структура транзистора N-канал
Рассеиваемая мощность, Вт 110 Вт
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом 0.235 Ом
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В 30 В
Крутизна характеристики, S 6.2 S
Рабочая температура, °C +175°C
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| 13 А
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| 5.5 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRFR13N20D MOSFET

IRFR13N20D MOSFET

Высокочастотный силовой транзистор, N-канал. 

Напишите свой отзыв