AO4468 Полевой транзистор, N-канал

15205

AO4468 сочетает в себе передовую траншейную технологию MOSFET с пакетом с низким сопротивлением для обеспечения чрезвычайно низкого RDS (ON). Это устройство идеально подходит для переключения нагрузки и защиты аккумулятора. AO4468 - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП). 

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 110 тг

100 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом17 мОм
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В30 В
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А10.5 A
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В20 В
Крутизна характеристики, S36 S
Пороговое напряжение на затворе, ВОт 1.2 до 2.4 В

Подробнее

Полевой транзистор – это полупроводниковый полностью управляемый ключ, управляемый электрическим полем. Это главное отличие с точки зрения практики от биполярных транзисторов, которые управляются током.

Спецификация:

  • Корпус: SOP-8;
  • Конфигурация и полярность: N;
  • Максимальное напряжение сток-исток: 30 V;
  • Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса: 10.5 A;
  • Сопротивление открытого канала (мин): 14 мОм;
  • Диапазон номинальных напряжений затвора: от 4.5 до 10 V;
  • Максимальное напряжение затвора: 20V;
  • Заряд затвора: 24 нКл;
  • Рассеиваемая мощность: 3.1 Вт;
  • Ёмкость затвора: 1200 пФ.

Схема:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

AO4468

Техническая документация

Файлы для загрузки (315.62k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

AO4468 Полевой транзистор, N-канал

AO4468 Полевой транзистор, N-канал

AO4468 сочетает в себе передовую траншейную технологию MOSFET с пакетом с низким сопротивлением для обеспечения чрезвычайно низкого RDS (ON). Это устройство идеально подходит для переключения нагрузки и защиты аккумулятора. AO4468 - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП). 

Напишите свой отзыв