PHD78NQ03LT N-канальный полевой транзистор

15277

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 352 тг

320 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииПолевой транзистор
Тип корпусаDPAK
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт107 Вт
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом0.009 Ом
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В25 В
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В20 В
Рабочая температура, °C+175°C
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|75 А
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|2 В

Подробнее

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами, на один из которых подаётся сильный ток, а на другой подаётся слабый управляющий ток.

Спецификация:

  • Наименование прибора: PHD78NQ03LT;
  • Тип транзистора: MOSFET;
  • Полярность: N;
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W;
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 25 V;
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V;
  • Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V;
  • Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A;
  • Максимальная температура канала (Tj): 175 °C;
  • Время нарастания (tr): 46 ns;
  • Выходная емкость (Cd): 415 pf;
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm;
  • Тип корпуса: DPAK.

Подключение:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

PHD78NQ03LT

Техническая документация

Файлы для загрузки (272.68k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

PHD78NQ03LT N-канальный полевой транзистор

PHD78NQ03LT N-канальный полевой транзистор

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Напишите свой отзыв