Транзистор TOSHIBA 2SК4207, N канальный, 900V, 13A, SC-65

МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами, МДП-транзисторами или транзисторами с изолированным затвором.

Спецификация:

• Наименование прибора: 2SK4207;
• Тип транзистора: MOSFET;
• Полярность: N;
• Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W;
• Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V;
• Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A;
• Общий заряд затвора: 45 nc;
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm;
• Рабочее напряжение: от -55°C до 150°C;
• Тип корпуса: SC-65.

Габариты:

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.