Корзина: Товар Товаров 0 (пусто)
0 тг Итого
Добавлено в корзину
Количество
Итого
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Итого товаров: (включая налог)
Итого за доставку (без НДС) Самовывоз
Транзистор IRFPE50, N канальный, 800V, 7.8A, TO-247AC
15716
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
- Удалите этот товар из моего избранного
- Добавьте этот товар к моему избранному
- Скачать коммерческое предложение
Характеристики
| Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 1.2 мОм |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 800 В |
| Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 7.8 A |
| Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 10 В |
| Крутизна характеристики, S | 5.6 S |
Подробнее
МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами, МДП-транзисторами или транзисторами с изолированным затвором.
Спецификация:
- Наименование прибора: IRFPE50;
- Тип транзистора: MOSFET;
- Полярность: N;
- Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W;
- Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V;
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V;
- Пороговое напряжение включения: 4 V;
- Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A;
- Максимальная температура канала: 150 °C;
- Общий заряд затвора: 200 nC;
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm;
- Рабочая температура: от -55°C до +150°C.
- Тип корпуса: TO-247AC.
Структурная схема:
Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.
Файлы для загрузки
Отзывы
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.