Транзистор MDF13N50, N канальный, MOSFET, 500V, 13A, 0.5 Om

15952

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 517 тг

470 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом500 мОм
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В500 В
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А13 A
Крутизна характеристики, S13 S
Пороговое напряжение на затворе, В1.4 В

Подробнее

MDF13N50 использует передовую технологию МОП-транзисторов MagnaChip, которая обеспечивает низкое сопротивление включенному состоянию, высокую производительность переключения и отличное качество. MDF13N50 предназначен прибор для импульсных источников питания, высокая скорость переключения и приложений общего назначения.

Спецификация:

  • Пробивное напряжение сток-источник: 500V;
  • Пороговое напряжение затвора: от 3V до 5V;
  • Ток отключения слива: 1 µA;
  • Ток утечки затвора: 100 nA;
  • Сток-источник на сопротивлении: 0.5 Om;
  • Общий заряд затвора: 33 nc;
  • Крутизна передаточной характеристики: 13 S;
  • Рабочая температура: от -55°C до 150°C;
  • Корпус: TO-220F.  

Схема:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

MDF13N50

Техническая документация

Файлы для загрузки (832.23k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

Транзистор MDF13N50, N канальный, MOSFET, 500V, 13A, 0.5 Om

Транзистор MDF13N50, N канальный, MOSFET, 500V, 13A, 0.5 Om

Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

Напишите свой отзыв