MRF1550NT1 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом

Данный транзистор предназначен для широкополосного коммерческого и промышленного применения с частотами до 175 МГц. Высокое усиление и широкополосная производительность этого устройства делает его идеальным для применения в усилителях с общим источником большого сигнала в 12,5-вольтовом мобильном FM-оборудовании.

Спецификация:

• Серия: MRF1550N;
• Тип: RF Power MOSFET;
• Полярность транзистора: N-Channel;
• Технология: Si;
• Непрерывный ток утечки: 12 A;
• Напряжение пробоя сток-исток: 40 V;
• Рабочая частота: 175 MHz;
• Усиление: 14.5 dB;
• Выходная мощность: 50 W;
• Рассеивание мощности: 165 W;
• Напряжение затвор-исток: 20 V;
• Пороговое напряжение затвор-исток : 3 V;
• Рабочая температура: от -60°C до +150°C;
• Корпус: TO-272-Wrap-6.

Схема:

Прежние данные карточки — требуют сверки с паспортом

Это сохранённые старые значения. Они не используются как подтверждённые номиналы новых фильтров. При подборе учитывайте полный паспорт и условия охлаждения.

Тип продукции

Полевой транзистор

Структура транзистора

N-канал

Рассеиваемая мощность, Вт

165 Вт

Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В

40 В

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В

20 В

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом

0.5 Ом

Рабочая температура, °C

+150°C

Тип корпуса

TO-272-WRAP-6

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|

12 А

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|

3 В

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.