Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что 13 декабря, филиал в городе Алматы не будет работать.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
16212
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
| Тип продукции | Полевой транзистор |
| Тип корпуса | TO-3P |
| Тип подключения | Контакты для пайки |
| Структура транзистора | N-канал |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 500 Вт |
| Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 0.049 Ом |
| Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 300 В |
| Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 20 В |
| Крутизна характеристики, S | 48 S |
| Рабочая температура, °C | +150°C |
| Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 69 А |
| Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 5 В |
Транзистор (transistor) – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Спецификация:
Подключение:

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.