Транзистор IXTQ69N30P, МОП-структура, N-канал, 300В, 69А, TO-3P

16212

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 1 551 тг

1 410 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток (Uds) Uси,В300
Максимальный ток сток-исток при 25С (Id) Iси макс..А69
Максимальное напряжение затвор-исток (Ugs) Uзи макс.,В20
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds) Rси вкл.,мОм49
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd) Pси макс..Вт500
Крутизна характеристики, S48
Максимальная температура канала (Tj)150
Тип корпусаTO-3P

Подробнее

Транзистор (transistor) – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

Спецификация:

  • Наименование прибора: IXTQ69N30P;
  • Тип транзистора: MOSFET;
  • Полярность: N;
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 500W;
  • Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300V;
  • Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20V;
  • Пороговое напряжение включения: 5V;
  • Максимально допустимый постоянный ток стока: 69A;
  • Максимальная температура канала: 150°C;
  • Общий заряд затвора: 156nC;
  • Время нарастания: 330ns;
  • Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049Ohm;
  • Тип корпуса: TO-3P

Подключение:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

IXTQ69N30P  

Техническая документация

Файлы для загрузки (141.56k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

Транзистор IXTQ69N30P, МОП-структура, N-канал, 300В, 69А, TO-3P

Транзистор IXTQ69N30P, МОП-структура, N-канал, 300В, 69А, TO-3P

Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв