16289
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Тип продукции | Полевой транзистор |
Тип корпуса | TO-247 |
Тип подключения | Контакты для пайки |
Структура транзистора | N-канал |
Рассеиваемая мощность, Вт | 350 Вт |
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 0.55 Ом |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 900 В |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 30 В |
Крутизна характеристики, S | 15 S |
Рабочая температура, °C | +150°C |
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id| | 15 А |
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)| | 4.5 В |
Транзистор (transistor) – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Спецификация:
Подключение:
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.