Транзистор STP9NK65ZFP, МОП-структура, N-канал, 650В, 6.4А, TO-220-3

16297

МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами, МДП-транзисторами или транзисторами с изолированным затвором.

Подробнее

								
							
Цена по прайсу: 649 тг

590 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом1.2 мОм
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В650 В
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А6.4 A
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), ВОт -30 до +30 В
Крутизна характеристики, S6 S

Подробнее

Это устройство представляет собой N-канальный МОП-транзистор с защитой от зенера, разработанный с использованием технологии SuperMESH™ от STMicroelectronics, достигнутый за счет оптимизации хорошо зарекомендовавшей себя компоновки PowerMESH™ на основе полос ST. В дополнение к значительному снижению сопротивления включению, это устройство предназначено для обеспечения высокого уровня возможностей dv/dt для самых требовательных приложений.

Спецификация:

  • Модель: STP9NK65ZFP;
  • Полярность транзистора: N-Channel;
  • Количество каналов: 1 Channel;
  • Напряжение пробоя сток-исток: 650V;
  • Непрерывный ток утечки: 6.4A;
  • Сопротивление сток-исток: 1.2Ohms;
  • Напряжение затвор-исток: от -30V до + 30V;
  • Пороговое напряжение затвор-исток: 3.75V;
  • Заряд затвора: 41 nc;
  • Рассеивание мощности: 30W;
  • Рабочая температура: от -55°C до +150°C;
  • Корпус: TO-220-3.

Схема:


Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.

Файлы для загрузки

STP9NK65ZFP

Техническая документация

Файлы для загрузки (425.09k)

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

Транзистор STP9NK65ZFP, МОП-структура, N-канал, 650В, 6.4А, TO-220-3

Транзистор STP9NK65ZFP, МОП-структура, N-канал, 650В, 6.4А, TO-220-3

МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами, МДП-транзисторами или транзисторами с изолированным затвором.

Напишите свой отзыв