MDP1991, Транзистор N канальный, MOSFET, 120А, 100В, TO-220

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

Спецификация:

• Наименование прибора: MDP1991;
• Тип транзистора: MOSFET;
• Полярность: N;
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 223 Вт;
• Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 В;
• Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 В;
• Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 В;
• Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 А;
• Максимальная температура канала (Tj): 150°C;
• Общий заряд затвора (Qg): 100 nC;
• Время нарастания (tr): 28.8 ns;
• Выходная емкость (Cd): 1300 pf;
• Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0059 Ом;
• Тип корпуса: TO-220.

Комплект поставки и внешний вид данного товара могут отличаться от указанных на фотографиях в каталоге интернет-магазина.