FQPF8N80C, N-канальный MOSFET 800 В, 8 А, TO-220F

FQPF8N80C — силовой N-канальный MOSFET семейства QFET, первоначально разработанный Fairchild Semiconductor и выпускавшийся под брендом onsemi. Транзистор рассчитан на напряжение сток–исток до 800 В и постоянный ток стока до 8 А при температуре корпуса 25 °C.

Модель выполнена по DMOS-технологии и оптимизирована для снижения сопротивления открытого канала и коммутационных потерь. Максимальное RDS(on) составляет 1,55 Ом при токе 4 А и напряжении затвор–исток 10 В. Типовой полный заряд затвора — 35 нКл, что позволяет применять транзистор в высокочастотных импульсных преобразователях.

Корпус TO-220F имеет электрически изолированную заднюю поверхность, что упрощает монтаж транзистора на радиатор и снижает риск электрического контакта между металлическим теплоотводом и силовой цепью. Для версии FQPF8N80C максимальная рассеиваемая мощность при температуре корпуса 25 °C составляет 59 Вт.

FQPF8N80C подходит для импульсных источников питания, корректоров коэффициента мощности PFC, электронных балластов, преобразователей напряжения и другой высоковольтной силовой электроники.

Характеристики

• Производитель: Fairchild Semiconductor / onsemi
• Модель: FQPF8N80C
• Тип: силовой MOSFET
• Канал: N-канальный
• Режим: Enhancement
• Максимальное напряжение сток–исток VDS: 800 В
• Постоянный ток стока ID при 25 °C: 8 А
• Постоянный ток стока при 100 °C: 5,1 А
• Импульсный ток стока IDM: 32 А
• Максимальное напряжение затвор–исток VGS: ±30 В
• Пороговое напряжение затвора VGS(th): 3–5 В
• RDS(on): 1,29 Ом тип., 1,55 Ом макс.
• Условия RDS(on): VGS=10 В, ID=4 А
• Полный заряд затвора Qg: 35 нКл тип., 45 нКл макс.
• Входная ёмкость Ciss: 1580 пФ тип., 2050 пФ макс.
• Выходная ёмкость Coss: 135 пФ тип.
• Обратная передаточная ёмкость Crss: 13 пФ тип.
• Время включения td(on): 40 нс тип.
• Время выключения td(off): 65 нс тип.
• Импульсная лавинная энергия EAS: 850 мДж
• Максимальная рассеиваемая мощность: 59 Вт
• Тепловое сопротивление переход–корпус: 2,66 °C/Вт
• Диапазон температуры перехода: −55…+150 °C
• Корпус: TO-220F
• Количество выводов: 3
• Монтаж: THT / выводной
• Распиновка: 1 — Gate, 2 — Drain, 3 — Source