IRF1010E MOSFET

10989

IRF1010E - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 308 тг

280 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Астана:
       

Характеристики

Тип продукцииПолевой транзистор
Тип корпусаTO-220AB
Тип подключенияКонтакты для пайки
Структура транзистораN-канал
Рассеиваемая мощность, Вт200 Вт
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом0.012 Ом
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В60 В
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В20 В
Крутизна характеристики, S69 S
Рабочая температура, °C+175°C
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|84 А
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|4 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRF1010E MOSFET

IRF1010E MOSFET

IRF1010E - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв