Уважаемые клиенты, сообщаем Вам, что 30 ноября филиал в городе Астана не будет работать.
Приносим свои извинения за доставленные неудобства.
10989
IRF1010E - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Будет доступен:
Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом | 12 мОм |
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В | 60 В |
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А | 81 A |
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В | 10 В |
Крутизна характеристики, S | 69 S |
Пороговое напряжение на затворе, В | 4 В |
Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.