IRF1010E MOSFET

10989

IRF1010E - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

								
							
Цена по прайсу: 352 тг

320 тг


Караганда:
       
Алматы:
       
Нур-Султан (Астана):
       

Характеристики

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом12 мОм
Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В60 В
Максимальный ток сток-исток при 25°C (Id), А81 A
Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В10 В
Крутизна характеристики, S69 S
Пороговое напряжение на затворе, В4 В

Файлы для загрузки

Отзывы

Авторизируйтесь чтобы оставить отзыв.

Напишите свой отзыв

IRF1010E MOSFET

IRF1010E MOSFET

IRF1010E - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

Напишите свой отзыв