Уважаемые клиенты, сообщаем вам, что с 1 января 2026 г., филиал в городе Алматы будет закрыт на неопределенный срок.
Просим Вас забрать свои заказы до 25 декабря 2025 г.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Фильтр
Загрузка ...
Применение: MOSFET и IGBT; Выключатель нагрузки; Зарядка батареи; DC-DC преобразование.
Транзисторы S9012 - кремниевые, сверхвысокочастотные усилительные, структуры - p-n-p.Корпус пластиковый TO-92.
BC557B - маломощный P-N-P транзистор с большим коэффициентом усиления ("супербетта") в корпусе TO-92. Применяется в самых широких областях электроники.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзисторы S9013 - кремниевые, сверхвысокочастотные усилительные, структуры - n-p-n.Корпус пластиковый TO-92.
Транзисторы S9014 - кремниевые, сверхвысокочастотные усилительные, структуры - n-p-n.Корпус пластиковый TO-92.