> Электронные компоненты>Транзисторы>Полевые (MOSFET)

Фильтр

Включены фильтры:
    Наличие
    Тип продукции
    Тип корпуса
    Структура транзистора
    Тип подключения
    Рассеиваемая мощность, Вт
    Максимальное напряжение сток-исток (Vds), В
    Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs), В
    Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|
    Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|
    Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds), Ом
    Крутизна характеристики, S
    Рабочая температура, °C

    Полевые (MOSFET)

    Скидки

    на странице
    Показ 61 - 72 из 205 товаров
    • 280 тг

      Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

      280 тг
      В корзину
      В наличии
    • 550 тг

      IRF730, Транзистор, N-канал 400В 5.5А [TO-220AB]

      550 тг
      В корзину
      В наличии
    • 870 тг

      Транзистор  FQA38N30 - в корпусе TO3P MOSFET 290 ВТ, 38,4А, 300В

      870 тг
      В корзину
      В наличии
    • 120 тг

      IRFR2905 Транзистор MOSFET N - канал 55В 59А DPAK

      120 тг
      В корзину
      В наличии
    • 625 тг

      Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

      625 тг
      В корзину
      В наличии
    • 470 тг

      Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.

      470 тг
      В корзину
      В наличии
    • 540 тг

      Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).

      540 тг
      В корзину
      В наличии
    • 160 тг

      AO4496 использует передовую траншейную технологию для обеспечения превосходного RDS(ON) с низким зарядом затвора. Это устройство подходит для использования в качестве преобразователя постоянного тока. AO4496 - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП). 

      160 тг
      В корзину
      В наличии
    • 360 тг

      STP55NF06 Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).

      360 тг
      В корзину
      В наличии
    • 1 700 тг

      FMH23N50E, Транзистор, N-канал 500В 23А 0.245Ом [TO-3P]

      1 700 тг
      В корзину
      В наличии
    • 260 тг

      Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.

      260 тг
      В корзину
      В наличии
    • 645 тг

      Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный небольшим входным сигналом управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.

      645 тг
      В корзину
      В наличии
    Показ 61 - 72 из 205 товаров