Уважаемые покупатели!
С 25 декабря 2025 года филиал в г. Алматы закрыт. Самовывоз из офиса в Алматы недоступен, но Вы также можете оформлять заказы с доставкой на нашем сайте.
Приносим извинения за доставленные неудобства.
Дорогие наши клиенты! Выражаем вам свою признательность, благодарность и дарим самые теплые пожелания.
Пускай в вашей жизни будет только удача, успех и чудесное настроение. С наступающим Новым годом!
График работы всех магазинов:
С 31 декабря по 4 января - выходные дни.
5 и 6 января - рабочие дни.
7 января - выходной день.
Далее работаем по обычному графику.
В связи с выходными у курьерских компаний - заказы будут отправляться с 5 января.
Приносим свои извинения за возможные неудобства и желаем весело встретить приходящий год!
Фильтр
Загрузка ...
IRFZ48N - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
IRF730, Транзистор, N-канал 400В 5.5А [TO-220AB]
Транзистор FQA38N30 - в корпусе TO3P MOSFET 290 ВТ, 38,4А, 300В
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
SPW47N60C3, Транзистор, N-канал 600В 47А 70мОм [TO-247] SPW47N60C3 аналог 47N60C3
AO4496 использует передовую траншейную технологию для обеспечения превосходного RDS(ON) с низким зарядом затвора. Это устройство подходит для использования в качестве преобразователя постоянного тока. AO4496 - мощный n-канальный полевой транзистор сделанный по технологии MOSFET (КМОП).
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).