Уважаемые покупатели!
С 25 декабря 2025 года филиал в г. Алматы закрыт. Самовывоз из офиса в Алматы недоступен, но Вы также можете оформлять заказы с доставкой на нашем сайте.
Приносим извинения за доставленные неудобства.
Дорогие наши клиенты! Выражаем вам свою признательность, благодарность и дарим самые теплые пожелания.
Пускай в вашей жизни будет только удача, успех и чудесное настроение. С наступающим Новым годом!
График работы всех магазинов:
С 31 декабря по 4 января - выходные дни.
5 и 6 января - рабочие дни.
7 января - выходной день.
Далее работаем по обычному графику.
В связи с выходными у курьерских компаний - заказы будут отправляться с 5 января.
Приносим свои извинения за возможные неудобства и желаем весело встретить приходящий год!
Фильтр
Загрузка ...
Модуль расширения для нагревательного...
AOD2916 использует траншейную технологию MOSFET, которая уникально оптимизирована для обеспечения наиболее эффективной высокочастотной коммутации. Как проводимость, так и коммутационные потери мощности минимизируются благодаря чрезвычайно низкой комбинации RDS(ON), Ciss и Coss.
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
HYG013N03LS1C2 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для работы в низковольтных приложениях с высокими токами.
AO4710 использует передовую траншейную технологию с монолитно интегрированным диодом Шоттки для обеспечения превосходного RDS(ON) и низкого заряда затвора. Это устройство подходит для использования в качестве полевого транзистора в SMPS, коммутации нагрузки и применении в общем назначении.
Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля (в биполярных транзисторах выходной ток управляется входным током). Полевые транзисторы называют также униполярными, так как в процессе протекания электрического тока участвует только один вид носителей.
Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением.