Друзья, филиал в г. Астане закрыт с 25 июня 2026г.
Доставка работает во все города.
Самовывоз можно забрать только из г. Караганды.
Фильтр
Загрузка ...
AOD2916 использует траншейную технологию MOSFET, которая уникально оптимизирована для обеспечения наиболее эффективной высокочастотной коммутации. Как проводимость, так и коммутационные потери мощности минимизируются благодаря чрезвычайно низкой комбинации RDS(ON), Ciss и Coss.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор – полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых (коллектор) подаётся сильный ток, а на другой (база) подаётся слабый (управляющий ток).
HYG013N03LS1C2 — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для работы в низковольтных приложениях с высокими токами.
M3054M, N канальный MOSFET (BVDSS - 30V; RDSON - 4.2 mΩ; ID - 97A)
IRF1010E - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).