Уважаемые клиенты, поздравляем вас с предстоящим праздником Курбан-айт!
Сообщаем вам, что 6 и 7 июня все наши офисы будут закрыты.
Приносим свои извинения за возможные неудобства.
Фильтр
Загрузка ...
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
M3054M, N канальный MOSFET (BVDSS - 30V; RDSON - 4.2 mΩ; ID - 97A)
IRF1010E - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
Полевой транзистор FQP4N90C, N-канала в корпусе ТО-220, 900В, 4А,
IRFP064N - Мощный N-канальный MOSFET транзистор 55В,
AO4710 использует передовую траншейную технологию с монолитно интегрированным диодом Шоттки для обеспечения превосходного RDS(ON) и низкого заряда затвора. Это устройство подходит для использования в качестве полевого транзистора в SMPS, коммутации нагрузки и применении в общем назначении.