Добавлено в корзину
В вашей корзине 0 товара (ов). В вашей корзине 1 товар.
Транзисторы
- 3D Принтеры и материалы
- Датчики
- Двигатели
- Игрушки
- Инструменты и материалы
- Измерительные приборы
- Изоляторы
- Инструменты
- Клапаны
- Клеящие материалы
- Корпуса и крепления
- Магниты
- Макетные и монтажные платы
- Маркеры
- Оборудование для пайки
- Органайзеры, ящики
- Провода для макетных плат
- Радиаторы
- Расходные материалы
- Создание печатных плат
- Тросы и канаты
- Углеволокно
- Фрезы и сверла
- Фурнитура для сувениров
- Шланги
- Книги
- Механика
- Модули для 3D принтеров
- Обучающие наборы
- Осветители и индикаторы
- Отладочные платы
- Пневматика
- Поля для соревнований
- Провода, разъемы и адаптеры
- Прочая электроника и аксессуары
- Радиоуправляемые модели
- Реле, контакторы
- Советские радиодетали
- Сувенирная продукция
- Услуги
- ЧПУ станки
- Электрика
- Электронные блоки и узлы
- Электронные компоненты
- Элементы питания
-
Соединительный штекер MS3106A18S-11P прямой, 500 В, 30 А
Серия MS5015 представляет собой...
5 567 тг -5% 5 860 тг
250 тгТранзистор BF998R, 2N-канальный, SOT143R
Транзистор — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет использовать его для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
250 тгВ наличии
385 тг
250 тг
250 тг
170 тгFZT751, транзистор PNP
FZT751 является высокопроизводительным PNP транзистором с лужеными выводами и корпусом из огнеупорного пластика UL94V-0.
170 тгВ наличии
210 тг
210 тг
150 тгMJD42C 6,0 A, 100 В PNP Биполярный...
Биполярный силовой транзистор предназначен для применения в усилителях общего назначения и коммутации на низких скоростях. MJD42C это биполярный силовой транзистор 6A, 100V PNP типа.
150 тгВ наличии
90 тг2SC3357, Транзистор NPN 12 В 0.1 А
Биполярный транзистор 2SC3357, NPN 12 В 0.1 А [ SOT-89 ]
90 тгВ наличии
200 тгBUK7575-100A MOSFET
Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
200 тгВ наличии
320 тгFQD30N06 MOSFET
FQD30N06 - Транзисторы на основе МОП-структур называют полевыми транзисторами с изолированным затвором, или МОП-транзисторами (англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, MOSFET).
320 тгВ наличии
520 тг